納米自旋電子材料與器件團隊
—— since 2011

研究生張守娟在二維IV族單層膜量子調控研究取得新進展,結果發表在RSC Advances上。

二維拓撲絕緣體是最近發現的新穎材料,其獨特的邊緣導電特性而引起很多研究人員的關注和研究。基于第一性原理計算,我們研究了H修飾IV主族二維單層膜的量子拓撲性質,PbSnH2PbGeH2PbSiH2結構進行雙軸應力調控(88%)。當考慮到自旋軌道耦合後,發現了拓撲保護的邊緣态,拓撲不變量Z2 = 1證實了這幾種結構量子自旋霍爾相的存在。我們還提出其在襯底 BaTe 的生長模型,并證明了其拓撲性質并沒有因此發生改變。這些結果為量子自旋霍爾效應器件的設計和室溫下的實驗操作提供了有價值的參考.上述研究結果發表在RSC Advances上:Hydrogenated Group-IV Binary Monolayers: A New FamilyInversion-Asymmetric Topological Insulators [RSC Adv., 2016,6,79452]


    本工作的第一完成作者為我院碩士研究生張守娟同學,其指導教師是張昌文教授。本課題還獲得國家自然科學基金11274143, 11274143, 11274143,11304121)的資助