納米自旋電子材料與器件團隊
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研究生張閏午在拓撲絕緣體研究上取得重要進展,相關成果發表在 J. Mater. Chem. C期刊上。

近日,濟南大學物理學院納米自旋電子材料與器件團隊設計出新型拓撲絕緣體材料,相關成果發表在J. Mater. Chem. C期刊上。

  近年來,撲絕緣體因為存在奇異的導電表面态,在科學界引起了極大的關注。二維量子自旋霍爾絕緣體在邊緣可以表現出自旋量子霍爾效應,有望作為新型自旋電子器件材料。其中找尋寬的體能隙是實現拓撲絕緣體推廣應用的最重要指标之一。課題組研究人員通過第一性原理計算,預測六角蜂巢狀的有機官能團功能化的Ge單層(GeC2X,X = H, F, Cl, Br, I)是穩定的拓撲絕緣體,其體能隙可控制在0.5eV左右,這些成果為實現有機官能團修飾鍺烯拓撲材料的研究提供一種嶄新思路。

本研究工作獲得了國家自然科學基金(Grant No. 11274143, 11434006,61172028, and 11304121),山東省自然科學基金(ZR2013AL002),濟南大學博士研究基金(Grant No.XBS1433)項目的資助。

Run-wuZhang, Chang-wen Zhang, et al. New Family of Room Temperature Quantum Spin HallInsulators in Two-Dimensional Germanene films. J. Mater. Chem. C, 2016, 4,2088.